鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構,在常壓下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV,鋁膜廠家也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。
鋁在半導體工藝中被廣泛應用,比如形成金屬互連線、各種極板等等。從導電性能的角度來看,鋁的導電性要比銅和金差一些,但如果用銅代替鋁,銅與鋁的接觸電阻很高,并且如果銅進入器件區將引起器件性能的災難,而鋁則不具有前述問題,因而成為一種很好的選擇。它有足夠低的電阻率,有很好的過電流密度,對二氧化硅有很好的粘附性,能形成很高的純度,天然具備與硅的低接觸電阻,易于圖形化工藝等等。
傳統的鋁膜濕法刻蝕是基于磷酸。鋁膜廠家現有厚鋁(厚度以上)刻蝕工藝中由于刻蝕時間長,使用光刻膠厚,導致鋁金屬側壁的聚合物(剩余的光刻膠)很厚,后續即使使用多次濕法和干法刻蝕都不能有效把聚合物去除干凈。
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